Какой марки бывают полевые транзисторы
Перейти к содержимому

Какой марки бывают полевые транзисторы

  • автор:

Таблица сравнения полевых транзисторов

Подпишитесь на автора, если вам нравятся его публикации. Тогда вы будете получать уведомления о его новых статьях.

Отписаться от уведомлений вы всегда сможете в профиле автора.

Статья относится к принтерам:

Не смотря на планы купить отдельную повышающую плату для питания стола, решил все же заменить транзистор нагрева стола на Ramps. Вообще, поводом к этому стала переломленная нога предохранителя. Раз уж все равно разбирать бутерброд и паять, то почему бы не перепаять еще и транзистор? Но о самой работе и результатах расскажу позже.

Прежде чем что-то менять, надо сначала это что-то выбрать. Про замену транзистора написано много постов и не только тут, но вот беда — никто так и не соизволил (а если и сделал, то я этого не нашел) расписать более подробную инфу про транзисторы и их ключевые характеристики. Все сводится к ‘вот этот точно работает, ставь его’ и к мерилкам ‘экспертностью’ в комментах без раскрытия темы.

В этом посте хочу поделиться со всеми, кто в теме не шарит, но интересуется, нарытой мной информацией и материалами. Что-то найдено тут, что-то на других ресурсах, а что-то узнал от специалистов в местных магазинах радиотоваров.

Начнем с характеристик полевых транзисторов. Их так много, что с ходу в тему не влететь, черт ногу сломит, некоторые из них еще и меняются в температурных диапазонах, а что-то приведено в даташитах в виде графиков. Для нас же, важны следующие:

Максимальный ток Стока, ld (А) — это максимальный продолжительный ток, с которым может работать транзистор. Чем больше, тем лучше.

Напряжение Сток-Исток, Vdss (В) — максимальное напряжение, которое может проходить через транзистор. Этот момент зависит от того, каким напряжением питаете стол через Ramps. Если 24В, то транзистор на 25, чтобы с запасом. Этого хватит, сильно много не надо.

Пороговое напряжение открытия транзистора, Vgs(th) min/max (В) — напряжение, при котором транзистор начинает работать и пропускать ток. Чем меньше значение, тем лучше. В данной характеристике важным моментом является обозначение ‘(th)’, ибо есть похожая характеристика.

Максимальное напряжение Затвор-Исток, Vgs (В) — напряжение полного раскрытия транзистора.

Сопротивление Сток-Исток Rds(Ом) — сопротивление при открытом канале. Чем оно меньше, тем лучше.

Теперь посмотрим как это все связано друг с другом и как работает. Ардуино подает на дроссель Vgs(th) и тем самым открывает ‘дверь’ транзистора. От степени открытия этой двери зависит текущий ток ld, который она может пропустить. Максимальный ток ld будет достигнут, когда значение напряжения на дросселе достигнет Vgs. Иллюстрируется это следующим графиком:

Таблица сравнения полевых транзисторов

Тут можно видеть, что, чем выше напряжение Vgs, тем больше ток ld. Но реальность такова, что без дополнительных доработок у нас Vgs будет на уровне максимум 5В и ток будет соответствующий. Поэтому, чем больше максимальный ток транзистора, тем больше его мы можем получить себе в перспективе с наших 5В. Чем меньше Vgs(th), тем раньше мы начнем ток получать. А чем меньше Vgs, тем ближе мы будем к максимальному току транзистора с нашим напряжением в 5В. Сопротивление Rds так же должно быть минимальным, чем оно меньше, тем меньше наши потери тока на пути к столу и меньше нагрев транзистора.

Кроме сопротивления Rds есть еще одна связь с температурой транзистора. Греется он в работе. Чем больше открыт дроссель, чем больший ток он пропускает и чем дольше работает, тем сильнее разогревается сам. Соответственно, больший ток ld при меньшем напряжении на затворе Vgs позволяет, меньше, реже и на меньшее время открываться транзистору, быстрее нагревая стол и меньше нагреваясь самому. Утепление самого стола позволяет транзистору меньше напрягаться с его подогревом.

Мной были просмотрены местные темы про замену транзистора на рампсе и темы на других сайтах, в результате свел все в одну гуглотаблицу с расписанием указанных выше характеристик.

Таблица сравнения полевых транзисторов

Электронный вариант таблицы с возможностью оставлять комментарии тут:

Если будут еще варианты, пишите мне, дополню таблицу, так же пишите, на какие еще характеристики стоит обратить внимание при подборе транзистора для наших целей.

Полевые транзисторы. Основные типы. Характеристики

полевые транзисторы

MOSFET — (Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor) использует изолятор обычно SiO2 между затвором и каналом.

JFET — полевой транзисторе с управляющим p-n переходом
MESFET — (Metal–Semiconductor Field-Effect Transistor) разновидность p-n перехода JFET с барьером Schottky; используются с GaAs и др. III-V полупроводниками.
ISFET — ion-sensitive field-effect transistor – ионно-чувствительный полевой транзистор.
ChemFET — chemical field-effect transistor — МОСФЕТ транзисторы, заряд на затворе которых определяется химическими процессами.
EOSFET — electrolyte-oxide-semiconductor field effect transistor вместо металла в качестве затвора используется электролит.
CNTFET — Carbon nanotube field-effect transistor — полевой транзистор с углеродными нанотрубками.

DEPFET – полевой транзистор с полностью обедненной подложкой, используются как сенсоры, усилители и ячейки памяти одновременно. Может быть использован как датчик фотонов.
DGMOSFET — с двумя затворами.
DNAFET — специальный FET используемый как биосенсор, с затвором из 1-й ДНК молекулы чтобы определять соответствующую нить ДНК.
FREDFET (Fast Reverse or Fast Recovery Epitaxial Diode FET) специальный полевой транзистор, разработанный для обеспечения сверхбыстрого закрытия встроенного диода (is a specialized FET designed to provide a very fast recovery (turn-off) of the body diode)
HEMT (high electron mobility transistor) или HFET(heterostructure FET) полевой транзистор с высокой подвижностью зарядов, гетероструктурные (шестигранные) FET. Изолятор затвора формируется из полностью обедненного материала с большой шириной запрещенной зоны.
HIGFET — (heterostructure insulated gate field effect transisitor), гетероструктурные MISFET используются в основном в исследовательских целях.
MODFET — (Modulation-Doped Field Effect Transistor) использует квантовую структуру, сформированную градиентным легированием активной области.
NOMFET – (Nanoparticle Organic Memory Field-Effect Transistor) — память на основе органических наночастиц.
OFET – (Organic Field-Effect Transistor) — канал из органического полупроводника.
GNRFET – (Field-Effect Transistor that uses a graphene nanoribbon for its channel). С каналом из графеновой пленки.
VFET (Vertical Field-Effect Transistor), вертикальный полевой транзистор, полевой транзистор с вертикальной структурой, полевой транзистор с вертикальным каналом.
VeSFET — (Vertical-Slit Field-Effect Transistor) is a square-shaped junction-less FET with a narrow slit connecting the source and drain at opposite corners. Two gates occupy the other corners, and control the current through the slit… полевой транзистор квадратной формы, без перехода с близким расположением истока и стока на противоположных углах. Два других входа, занимающие другие углы — затворы, которые контролируют переход.
TFET — (Tunnel Field-Effect Transistor) — основан на эффекте тунеллирования … из полосы в полосу.
IGBT (insulated-gate bipolar transistor) устройство для контроля мощности. Представляет из себя гибрид полевого транзистора с проводящим каналом, как у биполярного транзистора. Обычно используются для напряжений 200-3000V сток-исток. Мощные MOSFETs обычно используются до 200 V.

МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

В данном материале предоставляется справочная информация по зарубежным полевым транзисторам большой мощности. В таблице указаны только основные параметры – предельное напряжение стока, ток, рассеиваемая мощность и сопротивление открытого перехода сток-исток. Для более подробной информации, скопируйте название транзистора в поле ДАТАШИТ – справа сверху страницы и скачайте PDF файл с описанием. Полевые транзисторы мощные часто применяются в стабилизаторах напряжения и тока, выходных каскадах усилителей мощности, ключах зарядных устройств и преобразователей.

Марка Напряжение, B Сопротивление перехода, Ом Ток стока, A Мощность, Вт Корпус
1 2 3 4 5 6
STH60N0SFI 50 0,023 40,0 65 ISOWATT218
STVHD90FI 50 0,023 30,0 40 ISOWATT220
STVHD90 50 0,023 52,0 125 ТО-220
STH60N05 50 0,023 60,0 150 ТО-218
IRFZ40 50 0,028 35.0 125 ТО-220
BUZ15 50 0.03 45,0 125 ТО-3
SGSP592 50 0,033 40,0 150 ТО-3
SGSP492 50 0.033 40,0 150 ТО-218
IRFZ42FI 50 0,035 24,0 40 ISOWATT220
IRFZ42 50 0,035 35,0 125 ТО-220
BUZ11FI 50 0,04 20,0 35 ISOWATT220
BUZ11 50 0,04 30,0 75 ТО-220
BUZ14 50 0,04 39,0 125 ТО-3
BUZ11A 50 0,06 25,0 75 ТО-220
SGSP382 50 0.06 28,0 100 ТО-220
SGSР482 50 0.06 30.0 125 ТО-218
BUZ10 50 0.08 20.0 70 ТО-220
BUZ71FI 50 0,10 12,0 30 ISOWATT220
IRF20FI 50 0,10 12,5 30 ISOWATT220
BUZ71 50 6,10 14,0 40 ТО-220
IRFZ20 50 0,10 15.0 40 ТО-220
BUZ71AFI 50 0,12 11,0 30 ISOWATT220
IRFZ22FI 50 0,12 12,0 30 ISOWATT220
BUZ71A 50 0,12 13,0 40 ТО-220
IRFZ22 50 0,12 14,0 40 ТО-220
BUZ10A 50 0,12 17,0 75 ТО-220
SGSP322 50 0,13 16,0 75 ТО-220
SGSP358 50 0.30 7,0 50 ТО-220
MTH40N06FI 60 0,028 26,0 65 ISOWATT218
MTH40N06 60 0,028 40,0 150 ТО-218
SGSP591 60 0,033 40,0 150 ТО-3
SGSP491 60 0,033 40,0 150 ТО-218
BUZ11S2FI 60 0,04 20,0 35 ISOWATT220
BUZ11S2 60 0,04 30,0 75 ТО-220
IRFP151FI 60 0,055 26,0 65 ISOWATT218
IRF151 60 0.055 40,0 150 ТО-3
IRFP151 60 0.055 40,0 150 ТО-218
SGSP381 60 0,06 28,0 100 ТО-220
SGSP481 60 0.06 30.0 125 ТО-218
IRFP153FI 60 0,08 21,0 65 ISOWATT218
IRF153 60 0,08 33,0 150 ТО-3
IRFP153 60 0,08 34.0 150 ТО-218
SGSP321 60 0,13 16,0 75 ТО-220
MTP3055EFI 60 0,15 10,0 30 ISOWATT220
МТР3055Е 60 0,15 12.0 40 ТО-220
IRF521FI 80 0,27 7,0 30 ISOWATT220
IRF521 80 0.27 9,2 60 ТО-220
IRF523FI 80 036 6,0 30 ISOWATT220
IRF523 80 0.36 8,0 60 ТО-220
SGSP472 80 0,05 35.0 150 ТО-218
IRF541 80 0,077 15,0 40 ISOWATT220
IRF141 80 0.077 28,0 125 ТО-3
IRF541 80 0.077 28,0 125 ТО-220
IRF543F1 80 0,10 14,0 40 SOWATT220
SGSP362 80 0,10 22.0 100 ТО-220
IRF143 80 0,10 25,0 125 ТО-3
SGSР462 80 0.10 25,0 125 ТО-218
IRF543 80 0,10 25.0 125 О-220
IRF531FI 80 0.16 9,0 35 SOWATT220
IRF531 80 0.16 14,0 79 О-220
IRF533FI 80 0,23 8,0 35 ISOWATT220
IRF533 80 0,23 12.0 79 ТО-220
IRF511 80 0,54 5.6 43 ТО-220
IRF513 80 0,74 4,9 43 ТО-220
IRFP150FI 100 0,055 26,0 65 ISOWATT218
IRF150 100 0,055 40,0 150 ТО-3
IRFP150 100 0,055 40,0 150 ТО-218
BUZ24 100 0,6 32,0 125 ТО-3
IRF540FI 100 0,077 15,0 40 ISOWATT220
IRF140 100 0,077 28,0 125 ТО-3
IRF540 100 0,077 28,0 125 ТО-220
SGSP471 100 0,075 30,0 150 ТО-218
IRFP152FI 100 0,08 21,0 65 ISOWATT218
IRF152 100 0,08 33,0 150 ТО-3
IRFP152 100 0,08 34.0 150 ТО-218
IRF542FI 100 0,10 14,0 40 ISOWATT220
BUZ21 100 0,10 19.0 75 ТО-220
BUZ25 100 0,10 19.0 78 ТО-3
IRF142 100 0,10 25,0 125 ТО-3
IRF542 100′ 0,10 25,0 125 ТО-220
SGSP361 100 0,15 18,0 100 ТО-220
SGSP461 100 0,15 20.0 125 ТО-218
IRF530FI 100 0,16 9,0 35 ISOWATT220
IRF530 100 0,16 14.0 79 ТО-220
BUZ20 100 0,20 12.0 75 ТО-220
IRF532FI 100 0.23 8.0 35 ISOWATT220
IRF532 100 0,23 12,0 79 ТО-220
BUZ72A 100 0,25 9,0 40 ТО-220
IRF520FI 100 0.27 7,0 30 ISOWATT220
IRF520 100 0,27 9,2 60 ТО-220
SGSP311 100 0,30 11.0 75 ТО-220
IRF522FI 100 0,36 6.0 30 ISOWATT220
IRF522 100 0,36 8,0 60 ТО-220
IRF510 100 0,54 5,6 43 ТО-220
SGSP351 100 0,60 6,0 50 ТО-220
IRF512 100 0,74 4,9 43 ТО-220
SGSP301 100 1,40 2,5 18 ТО-220
IRF621FI 160 0,80 4.0 30 ISOWATT220
IRF621 150 0,80 5,0 40 ТО-220
IRF623FI 150 1,20 3,5 30 ISOWATT220
IRF623 150 1.20 4.0 40 ТО-220
STH33N20FI 200 0.085 20.0 70 ISOWATT220
SGSP577 200 0,17 20,0 150 ТО-3
SGSP477 200 0,17 20,0 150 ТО-218
8UZ34 200 0,20 19,0 150 ТО-3
SGSP367 200 0,33 12,0 100 ТО-220
BUZ32 200 0,40 9,5 75 ТО-220
SGSP317 200 0,75 6,0 75 ТО-220
IRF620FI 200 0,80 4,0 30 ISOWATT220
IRF620 200 0,80 5,0 40 ТО220
IRF622FI 200 1.20 3,5 30 ISOWATT220
IRF622 200 1.20 4,0 40 ТО-220
IRF741FI 350 0.55 5,5 40 ISOWATT220
IRF741 350 0,55 10,0 125 ТО-220
IRF743 350 0.80 8,3 125 ТО-220
IRF731FI 350 1,00 3,5 35 ISOWATT220
IRF731 350 1,00 5,5 75 ТО-220
IRF733FI 350 1,50 3,0 35 ISOWATT220
IRF733 350 1,50 4.5 75 ТО-220
IRF721FI 350 1,80 2.5 30 ISOWATT220
IRF721 350 1,80 3.3 50 ТО-220
IRF723FI 350 2,50 2,0 30 ISOWATT220
IRF723 350 2,50 2,8 50 ТО-220
IRFP350FI 400 0,30 10,0 70 ISOWATT218
IRF350 400 0,30 15,0 150 ТО-3
IRFP350 400 0,30 16,0 180 ТО-218
IRF740FI 400 0,55 5,5 40 ISOWATT220
IRF740 400 0,55 10,0 125 ТО-220
SGSP475 400 0,55 10,0 150 ТО-218
IRF742FI 400 0,80 4,5 40 ISOWATT220
IRF742 400 0,80 8,3 125 ТО-220
IRF730FI 400 1,00 3,5 35 ISOWATT220
BUZ60 400 1,00 5,5 75 ТО-220
IRF730 400 1,00 5,5 75 ТО-220
IRF732FI 400 1,50 3,0 35 ISOWATT220
BUZ60B 400 1,50 4,5 75 ТО-220
IRF732 400 1,50 4,5 75 ТО-220
IRF720FI 400 1,80 2,5 30 ISOWATT220
BUZ76 400 1,80 3,0 40 ТО-220
IRF720 400 1,80 3,3 50 ТО-220
IRF722FI 400 2,50 2,0 30 ISOWATT220
BUZ76A 400 2,50 2,6 40 ТО-220
IRF722 400 2,50 2,8 50 ТО-220
SGSP341 400 20,0 0,6 18 ТО-220
IRFP451FI 450 0,40 9,0 70 ISOWATT218
IRF451 450 0,40 13,0 150 ТО-3
IRFP451 450 0,40 14,0 180 ТО-218
IRFP453FI 450 0,50 8,0 70 ISOWATT218
IRF453 450 0,50 11,0 150 ТО-3
IRFP453 450 0,50 12,0 180 ТО-218
SGSP474 450 0,70 9,0 150 ТО-218
IRF841FI 450 0,85 4,5 40 ISOWATT220
IF841 450 0.85 8,0 125 ТО-220
IRFP441FI 450 0,85 5,5 60 ISOWATT218
IRF843FI 450 1,10 4,0 40 ISOWATT220
IRF843 450 1,10 7,0 125 ТО-220
IRF831FI 450 1,50 3,0 35 ISOWATT220
IRF831 450 1,50 4,5 75 ТО-220
SGSP364 450 1,50 5,0 100 ТО-220
IRF833FI 450 2,00 2,5 35 ISOWATT220
IRF833 450 2,00 4,0 75 Т0220
IRF821FI 450 3,00 2,0 30 ISOWATT220
IRF821 450 3,00 2,5 50 ТО-220
SGSP330 450 3,00 3,0 75 ТО-220
IRF823FI 450 4,00 1.5 30 ISOWATT220
IRF823 450 4,00 2,2 50 ТО-220
IRFP450FI 500 0,40 9,0 70 ISOWATT218
IRF450 500 0,40 13,0 150 ТО-3
IRFP450 500 0,40 14,0 180 ТО-218
IRFP452FI 500 0,50 8,0 70 ISOWATT218
IRF452 500 0,50 11,0 150 ТО-3
IRFP4S2 500 0,50 12,0 180 ТО-218
BUZ353 500 0,60 9,5 125 ТО-218
BUZ45 500 0,60 9,6 125 ТО-3
SGSP579 500 0,70 9,0 150 ТО-3
SGSP479 500 0,70 9.0 150 TO-218
BU2354 500 0,80 8,0 125 TO-218
BUZ45A 500 0,80 8,3 125 TO-3
IRF840FI 500 0,85 4,5 40 ISOWATT220
IRF840 500 0,85 8,0 125 TO-220
IRFP440FI 500 0,85 5,5 60 ISOWATT218
IRF842FI 500 1,10 4,0 40 ISOWATT220
IRF842 500 1.10 7,0 125 TO-220
IRF830FI 500 1,50 3,0 35 ISOWATT220
BUZ41A 500 1,50 4,5 75 TO-220
IRF830 500 1,50 4,5 75 TO-220
SGSP369 500 1,50 5,0 100 TO-220
IRF832FI 500 2,00 2,5 35 ISOWATT220
BUZ42 500 2,00 4,0 75 TO-220
IRF832 500 2,00 4,0 75 TO-220
IRF820FI 500 3,00 2,0 30 ISOWATT220
BUZ74 500 3,00 2,4 40 TO-220
IRF820 500 3,00 2,5 50 TO-220
SGSP319 500 3,80 2,8 75 TO-220
IRF322FI 500 4,00 1,5 30 ISOWATT220
BUZ74A 500 4,00 2,0 40 TO-220
IRF822 500 4,00 2,2 50 TO-220
SGSP368 550 2,50 5,0 100 TO-220
MTH6N60FI 600 1,20 3.5 40 ISOWATT218
MTP6N60FI 600 1,20 6,0 125 ISOWATT220
MTP3N60FI 600 .2,50 2,5 35 I30WATT220
MTP3N60 600 2,50 3,0 75 TO-220
STH9N80FI 800 1,00 . 5,6 70 ISOWATT218
STH9N80 800 1,00 9,0 180 TO-218
STH8N80FI 800 1,20 5,0 70 ISOWATT218
STH8N80 800 1,20 8.0 180 TO-218
STHV82FI 800 2,00 3,5 65 ISOWATT218
STHV82 800 2,00 5,5 125 TO-218
BUZ80AFI 800 3,00 2,4 40 ISOWATT220
BUZ80A 800 3,00 3,8 100 TO-220
BUZ80FI 800 4,00 2,0 35 ISOWATT220
BUZ80 800 4,00 2,6 75 TO-220
STH6N100FI 1000 2,00 3,7 70 ISOWATT218
STH6N100 1000 2,00 6,0 180 TO-218
STHV102FI 1000 3,50 3,0 65 ISOWATT218
STHV102 1000 3,50 4,2 125 TO-218
SGS100MA010D1 100 0,014 50 120 TO-240
SGS150MA010D1 100 0,009 75 150 TO-240
SGS30MA050D1 500 0,20 15 30 TO-240
SGS35MA050D1 500 0,16 17,5 35 TO-240
TSD200N05V 50 0,006 200 600 Isotop
TSD4M150V 100 0,014 70 135 Isotop
TSD4M251V 150 0,021 70 110 Isotop
TSD4M250V 200 0,021 60 110 Isotop
TSD4M351V 350 0,075 30 50 Isotop
TSD4M350V 400 0,075 30 50 Isotop
TSD4M451V 450 0,1 28 45 Isotop
TSD2M450V 500 0,2 26 100 Isotop
TSD4M450V 500 0,1 28 45 Isotop
TSD22N80V 800 0,4 22 77 Isotop
TSD5MG40V 1000 0,7 9 17 Isotop

ОБОЗНАЧЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

ОБОЗНАЧЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Проверку полевого транзистора на исправность можно проводить мультиметром в режиме тестирования P-N переходов диодов. Показываемое мультиметром значение сопротивления на этом пределе численно равно прямому напряжению на P-N переходе в милливольтах. У исправного транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Но в некоторых современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод поэтому бывает, что канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод. Черным (отрицательным) щупом прикасаемся к стоку (D), красным (положительным) – к истоку (S). Мультиметр показывает прямое падение напряжения на внутреннем диоде (500 – 800 мВ). В обратном смещении мультиметр должен показывать бесконечно большое сопротивление, транзистор закрыт. Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом затвора (G) и опять возвращаем его на исток (S). Мультиметр показывает 0 мВ, причём при любой полярности приложенного напряжения – полевой транзистор открылся прикосновением. Если теперь черным щупом коснуться затвора (G), не отпуская красного щупа, и вернуть его на сток (D), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения на диоде. Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *