Где найти транзистор bc547

Транзистор BC547

BC547 – биполярный n-p-n транзистор общего назначения (general purpose), представляющий группу, в составе которой, например, компания Farchild Semiconductor выпускает еще четыре прибора, имеющих близкие характеристики, – BC546, BC548, BC549 и BC550.

Корпус и цоколевка

Транзистор выпускается в пластмассовом корпусе ТО-92, представляющем из себя усеченный с одной стороны цилиндр, с одного из торцов которого выведены три ножки прибора, находящиеся в одной плоскости и соединенные с электродами в следующем порядке: коллектор, база, эмиттер (если смотреть со стороны надписи и перечислять слева направо).

Особенности и применение

Высокий коэффициент усиления и небольшой собственный шум позволяют применять эти детали во входных каскадах усилителей, а малое значение напряжения насыщения – в качестве переключателя.

Комплементарные пары

Два транзистора являются комплементарными, или дополняющими, если имеют различную проводимость и очень близкие характеристики. Такие пары часто используются в усилительных каскадах. Для BC546–550 комплементарными являются, соответственно, транзисторы BC556–560.

Группировка транзисторов в зависимости от коэффициента усиления

Наличие в названии транзистора после цифр буквы означает, что величина параметра hFE находится в определенном диапазоне. Для BC547-550 принята следующая разбивка:

• А (hFE = 110… 220);
• В (hFE = 220… 450);
• С (hFE = 420… 800).

Предельно допустимые значения

В таблице указаны величины параметров транзистора, при превышении каждого из которых производитель не гарантирует не только соблюдения цифр, указанных в следующей таблице и выполнения функциональных зависимостей, приведенных в графиках, но и целостности самой детали.

Обозначение	Параметр		Значение
VCBO	Напряжение коллектор-база, В	BC546	80
(UCB max)		BC547/550	50
		BC548/549	30
VCEO	Напряжение коллектор-эмиттер, В	BC546	65
(UCE max)		BC547/550	45
		BC548/549	30
VEBO (UEB max)	Напряжение эмиттер-база (обратное), В	BC546/547	6
		BC548-550	5
IC (ICmax)	Ток коллектора, А		0,1
PC (PC max)	Рассеиваемая мощность, Вт		0,5
Tj (tjmax)	Температура кристалла, °С		150
Tstg	Температура хранения, °С		-65…+150

Электрические параметры

В следующей таблице приведены основные параметры, используемые при расчете электрических схем.

Обратный ток коллектора – обратный ток коллекторногоперехода при свободном (не подключенном никуда) эмиттере. Его наличие приводит к нагреву транзистора. С увеличением температуры быстро растет.

Коэффициент усиления по току – отношение величин коллекторного и базового токов при активном режиме. Его величина определяет способность транзистора к усилению сигналов.

Напряжения насыщения – величина напряжений на p-n переходах транзистора, который находится в состоянии насыщения, то есть оба перехода смещены в прямом направлении (открыты). Такое состояние прибора используется в ключевых схемах.

Граничная частота – частота сигнала, при которой h_FE транзистора падает до 1. Обычно приемлемой для работы считается частота 0,1 f_T.

Выходная и входная емкости – эквивалентные емкости, являющиеся суммой емкостей Скб и Сбэ. Их величина существенна при работе с сигналами высокой частоты и в переключателях.

Коэффициент шума – отношение полной мощности шумов на выходе к ее части, вызываемой тепловыми шумами генератора шума. Параметр играет роль в случае необходимости усиления слабых сигналов. R_G – выходное сопротивление источника сигнала.

Обозначение	Параметр		Условия измерений	Значение
Мин.	Тип.	Макс.
ICBO	Обратный ток коллектора, nA		VCB =30В, IE =0	15
hFE (h21)	Коэффициент усиления		VCE =5В, IC =2мА	110	800
VCE(sat) (UBEsat)	Напряжение насыщения к-э, мВ		IC=10 мA, IB =0,5мA	90	250
			IC=100 мA, IB =5мA	200	600
VBE(sat) (UBEsat)	Напряжение насыщения б-э, мВ		IC =10 мA, IB =0,5мA	700
			IC =100 мA, IB =5мA	900
VBE (UBE)	Напряжение б-э (прямое), В		VCE =5 В, IC =2 мA	580	660	700
			VCE =5 В, IC =10 мA	720
fT	Граничная частота, МГц		VCE =5В, IC =10мA, f=100 MГц	300
Cob	Выходная емкость, пФ		VCB =10В, IE =0, f= 1MГц	3,5	6
Cib	Входная емкость, пФ		VEB =0,5В, IС =0, f= 1MГц	9
NF (F)	Коэффициент шума, дБ	ВС546-548	VCE =5В, IC =0,2мA, RG=2кОм, f= 1кГц, Δf=200Гц	2	10
		ВС549, 550		1,2	4
		ВС549	VCE =5В, IC =0,2мA, RG=2кОм, f= 30-15000 Гц	1,4	4
		ВС550		1,4	3

1. Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25° С. Предельно допустимые значения указаны для тех же условий.
2. В первом столбце обеих таблиц в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.

Типовые характеристики

Рис. 1. Выходная характеристика I_C = f(V_CE) при I_B = 50… 400 мкА.

Рис.2. Передаточная характеристика I_C = f(V_BE) при V_CE =5 В.

Рис.3. Коэффициент усиления h_FE = f(I_C) при V_CE = 5 В.

Рис.5. Зависимость выходной емкости от напряжения К-Б (f = 1 кГц, эмиттер свободен).

Модификации транзистора

BC547AP	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92
BC547B	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	200	200 MHz	TO92
BC547BA3	0.625 W	60 V	50 V	6 V	150 °C	2.1 pf	0.2 A	200	100 MHz	TO92
BC547BBK	0.5 W	50 V	45 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.1 A	150	300 MHz	TO92
BC547BP	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	200	200 MHz	TO92
BC547C	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	420	200 MHz	TO92
BC547CBK	0.5 W	50 V	45 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.1 A	270	300 MHz	TO92
BC547VI	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	75	150 MHz	TO92
LBC547	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92
LBC547A	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92
LBC547AP	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92
LBC547B	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	200	200 MHz	TO92
LBC547BP	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	200	200 MHz	TO92
LBC547C	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	420	200 MHz	TO92
LBC547VI	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	75	150 MHz	TO92
SBC547	0.625 W	50 V	45 V	5 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	150 MHz	TO92
TBC547	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92

Импортные и отечественные аналоги

Из представленной выше информации видно, что транзисторы BC546-550 различаются по допустимым величинам напряжений и имеют хотя не одинаковые, но близкие показатели коэффициента шума. Остальные электрические параметры и типовые характеристики у них идентичны.

Среди транзисторов российского производства наиболее близким к этой группе можно считать КТ3102, который имеет такой же корпус и цоколевку, но более высокий коэффициент усиления (КТ3102Г, Е).

В таблице приведены пригодные для замены BC547 n-p-n транзисторы (в корпусе ТО-92) и их основные параметры.

Характеристики транзистора BC547

Как написано в технических характеристиках, BC547 – это кремниевый усилительный транзистор, который может использоваться в широком спектре различных устройств. Имеет n-p-n структуру. Был разработан компаниями Philips и Mullard в 1966 году. Сначала изготавливался в металлическом корпусе ТО-18 и назывался ВС107, который через время был заменён более дешёвым пластмассовым ТО-92. Его маркировка ВС говорит о том, что его основной материал кремний (В) и может использоваться в низкочастотных устройствах (С).

Цоколевка

Распиновка транзистора BC547 выполнена в пластмассовом корпусе с тремя гибкими ножками, предназначенными для дырочного монтажа. Если смотреть на транзистор сверху прямо на срез, то слева будет расположен коллектор, потом база и крайний справа вывод – это эмиттер. Детально ознакомиться с габаритами и внешним видом изделия можно по рисунку.

Технические характеристики

Рассмотрение технических параметров BC547, как и все производители начнём с максимально допустимых режимов эксплуатации. Данные значения важны, так как от них, во многом, зависят возможности транзистора. Для рассматриваемого устройства они были измерены при температуре +25°С и равны:

• напряжение К – Б Uкб max = 50 В;
• напряжение К – Э Uкэ max = 45 В;
• напряжение Э – Б Uэб max = 6 В;
• ток коллектора Iк max = 100 мА;
• мощность Pк max = 0,625 Вт;
• температура хранения Tstg = -55 … +150°С;
• температура кристалла Тj = 150°С;
• тепловое сопротивление переход – корпус Rthj-case = 83,3 °С/Вт;
• тепловое сопротивление кристалл – воздух Rthj-amb = 200 °С/Вт.

После предельно допустимых перейдём к рассмотрению электрических характеристик. От них также зависят возможности BC547. Они были измерены при температуре +25°С. Остальные значения параметров, от которых зависят результаты тестирования, приведены в колонке «Условия измерения».

Кроме этого, некоторые производители делят транзисторы BC547 на три группы, в зависимости от к-та усиления: А (h FE = 100 …220), В (h FE = 200 …450), С (h FE = 420 …800).

Аналоги

Среди аналогов BC547 можно назвать: 2SC945, BC546, BC550, 2N2222. Среди отечественных транзисторов, которые могут его заменить, можно назвать КТ3102А, КТ3102АМ, КТ3102Б, КТ3102БМ, КТ3102Г. При поиске подходящего устройства нужно быть внимательным и проверять технические характеристики.

Производители и Datasheet

Приведем самых крупных производителей и их datasheet на BC547:

• Fairchild Semiconductor;
• Micro Commercial Components;
• NXP Semiconductors;
• Diotec Semiconductor;
• Weitron Technology;
• Continental Device India Limited;
• Unisonic Technologies;
• ARTSCHIP ELECTRONICS;
• ON Semiconductor;
• Pan Jit International.

В продаже можно найти рассматриваемый транзистор выпущенный: Fairchild Semiconductor, ON Semiconductor, Diotec Semiconductor.

Транзистор bc547 это какой будет если его заменить на smd?

Транзистор ВС547 выпускается в корпусе SOT54. По крайней мере это относится к фирме NXP Semiconductors.

Этот же транзистор но в SMD корпусе носит название ВС847.

Характеристики абсолютно одинаковые, только корпуса разные.

Та же фирма NXP Semiconductor выпускает их в корпусах SOT23,SOT323, SOT416,SOT883.

Обозначения наносимые на SMD-корпуса транзисторов ВС847 и корпуса транзисторов ВС547 следующие. Опять же это относится к транзисторам NXP Semiconductor. У других производителей обозначения могут различаться.