Почему сгорает транзистор
Перейти к содержимому

Почему сгорает транзистор

  • автор:

Почему горят транзисторы

Даже самые лучшие, оригинальные и настоящие полевые транзисторы всегда выходят из строя по одной и той же причине — из-за превышения какого-нибудь из максимально допустимых своих параметров. Мы не будем принимать во внимание механические повреждения корпусов и ножек, вместо этого отметим два основных вредоносных фактора — нарушение теплового режима и превышение критического напряжения. Под нарушением теплового режима имеется ввиду превышение допустимой температуры кристалла, которое обычно напрямую связано с повышенным током, поэтому рассмотрим подробно и данный аспект проблемы.

Совсем обобщая, можно сказать, что полевой транзистор выходит из строя либо от перенапряжения, либо от перегрева. И ежели не допускать причин превышения допустимых параметров, то транзистор сохранит и свою работоспособность, и работоспособность соседних компонентов, не говоря уже о нервных клетках владельца устройства, для которого данный транзистор предназначался. Итак, давайте разберемся, почему же горят транзисторы.

Почему горят транзисторы

Перенапряжение

Полевые транзисторы — это очень нежные полупроводниковые приборы с несколькими переходами. И было бы сильным упрощением сказать, что пробой по напряжению возможен здесь только от неловкого прикосновения не заземленным пинцетом. На самом деле, пробой напряжением возможен по двум сценариям: затвор-исток или сток-исток.

Пробой затвор-исток как правило происходит из-за нарушения в работе драйверного каскада схемы управления либо из-за наводки, в том числе — из-за наводки от стока за счет эффекта Миллера. Конечно, современные транзисторы отличаются очень малой емкостью сток-затвор, однако исключения время от времени могут попадаться, особенно в схемах с высокой скоростью нарастания напряжения на стоке.

Для борьбы с эффектом Миллера применяют активные схемы разряда затвора или как минимум ставят обратный диод со стабилитроном в цепь затвора полевика. Что касается качества самих драйверных схем, то более высокую надежность показывают схемы управления с гальванической развязкой, в частности — решения на трансформаторах управления затвором.

Для пробоя по напряжению в цепи сток-исток, полевому транзистору достаточно всего нескольких наносекунд чтобы сгореть от индуктивного выброса большой амплитуды на стоке. Для борьбы с перенапряжением на стоке, обычно применяют схемы плавного включения, активные ограничители или пассивные снабберные схемы с конденсаторами и резисторами, либо варисторные ограничители напряжения на стоке. Те и другие защитные пути являются вынужденными превентивными мерами предохранения полевых транзисторов, они очень распространены и приняты за норму среди разработчиков силовой электроники.

Полевые транзисторы на печатной плате

Перегрев кристалла

Наиболее банальная причина перегрева транзистора — плохое крепление корпуса транзистора к радиатору или просто некачественный контакт между радиатором и транзистором. Для защиты от данного явления лучше всего не только применять теплопроводные подложки и пасты, но дополнительно использовать датчики температуры, которые бы отключали схему при наступлении перегрева.

Перегрузка по среднему току — еще одна причина перегрева транзистора. Чаще всего в схемах импульсных преобразователей с ней борются путем плавного увеличения частоты и ширины управляющих импульсов. Это нужно для того, чтобы избежать превышения среднего тока, например во время холодного пуска устройства, когда заряжаются пустые конденсаторы или запускается двигатель, которому еще предстоит набрать обороты, а если подать сразу полный ток, то транзисторы мгновенно перегрузятся. Схемы обратной связи по току в двухтактных схемах также способствуют защите транзисторов.

И конечно, сквозной ток, куда же без него. Разработчики полумостовых схем знают о нем не по наслышке. Здесь спасет грамотный расчет и проектирование схемы управления и цепей обратной связи, а также плавный пуск с медленным увеличением частоты следования и ширины управляющих импульсов.

почему горят транзисторы

стоят по два в параллель . сгорел один с верхнего плеча. после замены заработало но позже пробило второй тоже с верху. после замены обоих спустя время всё повторилось. что может быть причиной ?

ссылка скрыта от публикации

  • 28 Авг 2018

Информация Неисправность Прошивки Схемы Справочники Маркировка Корпуса Сокращения и аббревиатуры Частые вопросы Полезные ссылки

Справочная информация

Этот блок для тех, кто впервые попал на страницы нашего сайта. В форуме рассмотрены различные вопросы возникающие при ремонте бытовой и промышленной аппаратуры. Всю предоставленную информацию можно разбить на несколько пунктов:

  • Диагностика
  • Определение неисправности
  • Выбор метода ремонта
  • Поиск запчастей
  • Устранение дефекта
  • Настройка

Неисправности

Все неисправности по их проявлению можно разделить на два вида — стабильные и периодические. Наиболее часто рассматриваются следующие:

  • не включается
  • не корректно работает какой-то узел (блок)
  • периодически (иногда) что-то происходит

О прошивках

Большинство современной аппаратуры представляет из себя подобие программно-аппаратного комплекса. То есть, основной процессор управляет другими устройствами по программе, которая может находиться как в самом чипе процессора, так и в отдельных микросхемах памяти.

На сайте существуют разделы с прошивками (дампами памяти) для микросхем, либо для обновления ПО через интерфейсы типа USB.

Схемы аппаратуры

Начинающие ремонтники часто ищут принципиальные схемы, схемы соединений, пользовательские и сервисные инструкции. Это могут быть как отдельные платы (блоки питания, основные платы, панели), так и полные Service Manual-ы. На сайте они размещены в специально отведенных разделах и доступны к скачиванию гостям, либо после создания аккаунта:

    (запросы) (хранилище) (запросы) (запросы)

Справочники

На сайте Вы можете скачать справочную литературу по электронным компонентам (справочники, таблицу аналогов, SMD-кодировку элементов, и тд.).

Marking (маркировка) — обозначение на электронных компонентах

Современная элементная база стремится к миниатюрным размерам. Места на корпусе для нанесения маркировки не хватает. Поэтому, производители их маркируют СМД-кодами.

Package (корпус) — вид корпуса электронного компонента

При создании запросов в определении точного названия (партномера) компонента, необходимо указывать не только его маркировку, но и тип корпуса. Наиболее распостранены:

  • DIP (Dual In Package) – корпус с двухрядным расположением контактов для монтажа в отверстия
  • SOT-89 — пластковый корпус для поверхностного монтажа
  • SOT-23 — миниатюрный пластиковый корпус для поверхностного монтажа
  • TO-220 — тип корпуса для монтажа (пайки) в отверстия
  • SOP (SOIC, SO) — миниатюрные корпуса для поверхностного монтажа (SMD)
  • TSOP (Thin Small Outline Package) – тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
  • BGA (Ball Grid Array) — корпус для монтажа выводов на шарики из припоя

Краткие сокращения

При подаче информации, на форуме принято использование сокращений и аббревиатур, например:

Сокращение Краткое описание
LED Light Emitting Diode — Светодиод (Светоизлучающий диод)
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Полевой транзистор с МОП структурой затвора
EEPROM Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory — Электрически стираемая память
eMMC embedded Multimedia Memory Card — Встроенная мультимедийная карта памяти
LCD Liquid Crystal Display — Жидкокристаллический дисплей (экран)
SCL Serial Clock — Шина интерфейса I2C для передачи тактового сигнала
SDA Serial Data — Шина интерфейса I2C для обмена данными
ICSP In-Circuit Serial Programming – Протокол для внутрисхемного последовательного программирования
IIC, I2C Inter-Integrated Circuit — Двухпроводный интерфейс обмена данными между микросхемами
PCB Printed Circuit Board — Печатная плата
PWM Pulse Width Modulation — Широтно-импульсная модуляция
SPI Serial Peripheral Interface Protocol — Протокол последовательного периферийного интерфейса
USB Universal Serial Bus — Универсальная последовательная шина
DMA Direct Memory Access — Модуль для считывания и записи RAM без задействования процессора
AC Alternating Current — Переменный ток
DC Direct Current — Постоянный ток
FM Frequency Modulation — Частотная модуляция (ЧМ)
AFC Automatic Frequency Control — Автоматическое управление частотой

Частые вопросы

После регистрации аккаунта на сайте Вы сможете опубликовать свой вопрос или отвечать в существующих темах. Участие абсолютно бесплатное.

Кто отвечает в форуме на вопросы ?

Ответ в тему почему горят транзисторы как и все другие советы публикуются всем сообществом. Большинство участников это профессиональные мастера по ремонту и специалисты в области электроники.

Как найти нужную информацию по форуму ?

Возможность поиска по всему сайту и файловому архиву появится после регистрации. В верхнем правом углу будет отображаться форма поиска по сайту.

По каким еще маркам можно спросить ?

По любым. Наиболее частые ответы по популярным брэндам — LG, Samsung, Philips, Toshiba, Sony, Panasonic, Xiaomi, Sharp, JVC, DEXP, TCL, Hisense, и многие другие в том числе китайские модели.

Какие еще файлы я смогу здесь скачать ?

При активном участии в форуме Вам будут доступны дополнительные файлы и разделы, которые не отображаются гостям — схемы, прошивки, справочники, методы и секреты ремонта, типовые неисправности, сервисная информация.

Полезные ссылки

Здесь просто полезные ссылки для мастеров. Ссылки периодически обновляемые, в зависимости от востребованности тем.

Причины выхода транзистора из строя

Измеряя сопротивление, не допускают перегрузки переходов р-п током, так как она приводит к возрастанию температуры и выходу из строя транзистора. Наиболее безопасно применять омметры с внутренним источником напряжения 1,5 В или меньше, а в многопредельных омметрах использовать шкалы с пределами 1 х 100 или 1 х 1000 Ом.

Сопротивление между коллектором и эмиттером в прямом и обратном направлениях должно быть не менее 10 кОм. При меньшем сопротивлении транзистор будет иметь большие токи утечки и должен быть заменен. Сопротивление между выводами базы и эмиттера и выводами базы и коллектора должно составлять в одном направлении меньше 150 Ом, в другом — более нескольких тысяч ом.

Выявление неполадок транзисторов может быть осуществлено также измерением напряжения на их выводах, что требует особой осторожности, так как даже кратковременные замыкания между коллектором и базой выводят транзистор из строя. При обрыве вывода базы на ней сохраняется нормальное напряжение, в то время как транзистор находится в режиме отсечки, на что указывает отсутствие тока в цепях коллектора и эмиттера.

Если вольтметр показывает одинаковые напряжения на коллекторе и эмиттере, то наиболее вероятной причиной неисправности является пробой в коллекторном или эмиттерном переходах.

Вместе с тем это явление может возникнуть из-за изменения напряжения смещения, вследствие которого транзистор оказывается чрезмерно открытым. В этом случае напряжение на эмиттере будет примерно равным напряжению на коллекторе. Для проверки исправности такого каскада подключают вольтметр параллельно резистору в эмиттерной цепи, после чего замыкают выводы эмиттера и базы. Если транзистор исправен, то показания вольтметра должны уменьшиться, поскольку прямое напряжение смещения при этом упадет до нуля.

Выявление неполадок полевых транзисторов

Полевые транзисторы по сравнению с биполярными обладают большим входным сопротивлением и наличием термостабильной точки, вследствие чего предпочтительны для применения в усилителях постоянного тока, используемых в различных контрольно-измерительных приборах и регуляторах теплоэнергетических процессов. Полевые транзисторы также обладают лучшими шумовыми свойствами на низких и инфранизких частотах и хорошей стабильностью электрических параметров.

Наиболее часто повреждения полевых транзисторов возникают в результате разряда на них статического электричества, накопленного на производственном оборудовании или на одежде и обуви обслуживающего, например ремонтного, персонала.

«Справочное пособие по ремонту приборов и регуляторов»,
А.А.Смирнов

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *