Транзисторы КТ816
Т ранзисторы КТ816 — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — p-n-p.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.
Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ816 цифра 6, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ816.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока — от 25
Граничная частота передачи тока. — 3МГц.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А и токе базы 0,3А:
не более 1,5 в.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов КТ816А — 25 в.
У транзисторов КТ816Б — 45 в.
У транзисторов КТ816В — 60 в.
У транзисторов КТ816Г — 80 в.
Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ816 — — 3А.
Рассеиваемая мощность коллектора. — 25 Вт с радиатором, 1Вт — без.
Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 25 в у транзисторов КТ816А, 45в — КТ816Б, 60в — КТ816В, 100в — КТ816Г, не более 100 мкА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.
3000 мкА, при температуре окружающей среды + 200 по Цельсию.
Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц при напряжении коллектор-база 10в — 60 пФ.
Транзистор комплементарный КТ816 — КТ817.
Зарубежные аналоги транзисторов КТ816
КТ816А — TIP32
КТ816Б — TIP32A
КТ816В — TIP32B
КТ816Г — TIP32C
Транзисторы КТ812
Транзисторы КТ812 — кремниевые, усилительные мощные низкочастотные, структуры n-p-n.
Предназначались для работы в схемах строчной развертки телевизоров и мониторов, в импульсных и ключевых схемах(приводы электрических машин, исполнительные электромеханизмы). Корпус металло-стеклянный с жесткими выводами(ТО-3).
Цоколевка КТ812 — на рисунке ниже.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока
У транзисторов 2Т812А и 2Т812Б от 5 до 30(типовое значение — 15)
У транзисторов КТ812А и КТ812Б от 4
У транзисторов КТ812В от 10 до 125 (типовое значение — 80)
Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер:
700в, — у КТ812А, КТ812Б, КТ812В, 2Т812А.
500в — у 2Т812Б.
300в — у КТ812В.
Максимальный постоянный ток коллектора:
10А. — у транзисторов 2Т812А, 2Т812Б.
8А. — у транзисторов КТ812А, КТ812Б, КТ812В.
Максимальный импульсный ток коллектора:
17А. — у транзисторов 2Т812А, 2Т812Б.
12А. — у транзисторов КТ812А, КТ812Б, КТ812В.
Рассеиваемая мощность коллектора(с теплоотводом). —50 Вт.
Граничная частота передачи тока — 3 МГц.
Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 700 в у транзисторов 2Т812А, КТ812А — 5 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.
При напряжении коллектор-база 500 в у транзисторов 2Т812Б, КТ812Б — 5 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.
При напряжении коллектор-база 300 в у транзисторов КТ812В — 5 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.
Обратный ток эмиттера. При напряжении эмиттер-база 6 в у транзисторов 2Т812А,2Т812Б — 50 мА.
При напряжении эмиттер-база 7 в у транзисторов КТ812А, КТ812Б, КТ812В — 150 мА.
Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц
при напряжении коллектор-база 100 в — 70 — 150 пФ.
Зарубежные аналоги транзисторов КТ812
КТ812А — 2N5240
КТ812Б — 2N5239
КТ812В — BDY25
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
DataSheet
Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.
Транзистор КТ816
Цоколевка транзистора КТ816
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ816А | — | BD436, TIP32, MJE2490 *1 , 2N3202 *1 , 2N3782 *3 , 2N3208 *3 , KSH32 *3 , SSP64 *3 , MJE370 | ||
| КТ816Б | — | BD176, BD234, BD176, 2N5783 *1 , BD242 *3 , BD634 *3 | |||
| КТ816В | — | BD178, BD236, BD178, MJE2491 *1 , 2N3200 *1 , 2N3202 *1 , 2N3206 *3 , 2N2881 *3 , BD636 *3 , SSP64A *3 | |||
| КТ816Г | — | BD180, BD238, MJD32CT4 *3 , MJD32C1 *3 , MJD32С *3 , CJD32C *3 , CZT32C *3 , 2N3207 *1 , 2N2882 *1 , KSH32 *1 , NTE218 *1 , ECG218 *1 , BD180, 2N3201 *1 , 2N3204 *1 | |||
| КТ816А-2 | — | 2SB435U, MJE2370 *3 , 2SA1217 *3 , 2SB435 *3 , 2SB891FR, 2SB891FQ *2 , 2SB891FP *2 , 2SB891F *2 , BD362 *2 , BD362A *2 , SK3845 *2 , SK3840 *3 | |||
| Структура | — | p-n-p | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P * K, τ max,P ** K, и max | КТ816А | — | 25* | Вт |
| КТ816Б | — | 25* | |||
| КТ816В | — | 25* | |||
| КТ816Г | — | 25* | |||
| КТ816А-2 | — | 25* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f * h21б, f ** h21э, f *** max | КТ816А | — | ≥3 | МГц |
| КТ816Б | — | ≥3 | |||
| КТ816В | — | ≥3 | |||
| КТ816Г | — | ≥3 | |||
| КТ816А-2 | — | ≥3 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U * КЭR проб., U ** КЭО проб. | КТ816А | 1к | 40* | В |
| КТ816Б | 1к | 45* | |||
| КТ816В | 1к | 60* | |||
| КТ816Г | 1к | 100* | |||
| КТ816А-2 | 1к | 40* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ816А | — | 5 | В |
| КТ816Б | — | 5 | |||
| КТ816В | — | 5 | |||
| КТ816Г | — | 5 | |||
| КТ816А-2 | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I * К , и max | КТ816А | — | 3(6*) | А |
| КТ816Б | — | 3(6*) | |||
| КТ816В | — | 3(6*) | |||
| КТ816Г | — | 3(6*) | |||
| КТ816А-2 | — | 3(6*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I * КЭR, I ** КЭO | КТ816А | 25 В | ≤0.1 | мА |
| КТ816Б | 45 В | ≤0.1 | |||
| КТ816В | 60 В | ≤0.1 | |||
| КТ816Г | 100 В | ≤0.1 | |||
| КТ816А-2 | 25 В | ≤0.1 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h * 21Э | КТ816А | 2 В; 1 А | ≥25* | |
| КТ816Б | 2 В; 1 А | ≥25* | |||
| КТ816В | 2 В;1 А | ≥25* | |||
| КТ816Г | 2 В; 1 А | ≥25* | |||
| КТ816А-2 | 1 В; 0.03 А | ≥200* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с * 12э | КТ816А | 10 В | ≤60 | пФ |
| КТ816Б | 10 В | ≤60 | |||
| КТ816В | 10 В | ≤60 | |||
| КТ816Г | 10 В | ≤60 | |||
| КТ816А-2 | 10 В | ≤60 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К ** у.р. | КТ816А | — | ≤0.6 | Ом, дБ |
| КТ816Б | — | ≤0.6 | |||
| КТ816В | — | ≤0.6 | |||
| КТ816Г | — | ≤0.6 | |||
| КТ816А-2 | — | ≤0.6 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r * b, P ** вых | КТ816А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ816Б | — | — | |||
| КТ816В | — | — | |||
| КТ816Г | — | — | |||
| КТ816А-2 | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t ** выкл, t *** пк(нс) | КТ816А | — | — | пс |
| КТ816Б | — | — | |||
| КТ816В | — | — | |||
| КТ816Г | — | — | |||
| КТ816А-2 | — | — |
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Транзистор КТ816Г
На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ816Г обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.